סינתזה של פרובסקיט באמצעות אולטרסאונד
תגובות המושרות ומוגברות באמצעות אולטרסאונד מציעות שיטת סינתזה פשוטה ורב־תכליתית, הניתנת לבקרה מדויקת, לייצור חומרים המופעלים באור, שלעיתים קרובות אי אפשר להכינם בשיטות קונבנציונליות.
גיבוש ושיקוע אולטרסוניים של גבישי פרובסקיט הם טכניקה יעילה וחסכונית ביותר, המאפשרת לייצר ננו־גבישי פרובסקיט בקנה מידה תעשייתי לייצור המוני.
סינתזה אולטרסונית של ננו־גבישי פרובסקיט
פרובסקיטים אורגניים–אי־אורגניים של הלידי עופרת מפגינים תכונות אופטואלקטרוניות יוצאות דופן, כגון בליעת אור גבוהה, זמן חיים ארוך מאוד של נושאי מטען, אורך דיפוזיה של נושאי מטען וניידות גבוהה של נושאי מטען, ההופכות את תרכובות הפרובסקיט לחומר פונקציונלי מעולה ליישומים בעלי ביצועים גבוהים בפאנלים סולאריים, בנוריות LED, בגלאי אור, בלייזרים וכו׳.
טיפול באולטרסאונד הוא אחת השיטות הפיזיקליות להאצת תגובות אורגניות שונות. טיפול אולטרסוני משפיע על תהליך הגיבוש ומבקר אותו, וכך מאפשר לשלוט במאפייני הגודל של ננו־חלקיקי הפרובסקיט החד־גבישיים.
UIP2000hdT עם ריאקטור תא זרימה שניתן להפעילו בלחץ
מקרי בוחן של סינתזה אולטרסונית של פרובסקיט
במחקרים בוצעו סוגים רבים של גידול גבישי פרובסקיט בסיוע אולטרסאונד. באופן כללי, גבישי פרובסקיט מוכנים בשיטת גידול בתווך נוזלי. כדי לשקע גבישי פרובסקיט, מפחיתים באיטיות ובאופן מבוקר את מסיסות דגימות המטרה בתמיסת חומר מוצא. שיקוע אולטרסוני של ננו־גבישי פרובסקיט מבוסס בעיקר על כיבוי באמצעות אנטי־ממס.
גיבוש אולטרסוני של ננו־גבישי פרובסקיט
Jang ועמיתיו (2016) מדווחים על סינתזה מוצלחת בסיוע אולטרסאונד של ננו־גבישי פרובסקיט של הלידי עופרת. באמצעות אולטרסאונד שוקעו ננו־גבישי פרובסקיט מסוג APbX3 במגוון רחב של הרכבים, שבהם A = CH3NH3, Cs או HN=CHNH3 (פורמאמידיניום), ו־X = Cl, Br או I. הטיפול באולטרסאונד מאיץ את תהליך ההמסה של חומרי המוצא (AX ו־PbX2) בטולואן, וקצב ההמסה קובע את קצב הגידול של הננו־גבישים. לאחר מכן, צוות המחקר ייצר גלאי אור בעלי רגישות גבוהה באמצעות ציפוי אחיד בסחרור של ננו־גבישים בעלי גודל אחיד על מצעי תחמוצת סיליקון בעלי שטח גדול.
גיבוש אולטרסוני אסימטרי של פרובסקיט
Peng ועמיתיו (2016) פיתחו שיטת גידול חדשה המבוססת על גיבוש אסימטרי המופעל על ידי קוויטציה (CTAC), המקדם התגרענות הטרוגנית באמצעות אספקת אנרגיה מספקת להתגברות על מחסום ההתגרענות. בקצרה, הם הפעילו על התמיסה פולסים אולטרסוניים קצרים מאוד (≈ 1sec) כאשר הגיעה לרמה נמוכה של רוויית־יתר באמצעות דיפוזיה של אדי אנטי־ממס. הפולס האולטרסוני מופעל ברמות גבוהות של רוויית־יתר, שבהן קוויטציה מעוררת אירועי התגרענות עודפים, ולכן גידול של שפע גבישים זעירים. באופן מבטיח, סרטים חד־גבישיים של MAPbBr3 צמחו על פני השטח של מצעים שונים בתוך כמה שעות של טיפול אולטרסוני מחזורי.
סינתזה אולטרסונית של נקודות קוונטיות של פרובסקיט
Chen ועמיתיו (2017) מציגים בעבודת המחקר שלהם שיטה יעילה להכנת נקודות קוונטיות של פרובסקיט (QDs) תחת הקרנה אולטרסונית. סוניקציה משמשת כשיטה מכנית להאצת השיקוע של נקודות קוונטיות של פרובסקיט. הטיפול האולטרסוני מגביר את תהליך ההתגבשות של הנקודות הקוונטיות של פרובסקיט ומאפשר לשלוט בו, וכך מתקבלים ננו־גבישים שגודלם מותאם במדויק. ניתוח המבנה, גודל החלקיקים והמורפולוגיה של הנקודות הקוונטיות של פרובסקיט הראה שהתגבשות אולטרסונית מניבה חלקיקים קטנים יותר והתפלגות אחידה יותר של גודל החלקיקים. באמצעות הסינתזה האולטרסונית (= סונוכימית) ניתן היה גם לייצר נקודות קוונטיות של פרובסקיט בעלות הרכבים כימיים שונים. הרכבים שונים אלה בגבישי הפרובסקיט אפשרו לבצע את הפעולה "unable" בשיאי הפליטה ובקצוות הספיחה של CH3NH3PbX3 (X = Cl, Br ו-I), דבר שהוביל למכלול צבעים רחב ביותר.
פיזור אולטרסוני
סוניקציה של תרחיפי ננו־חלקיקים ושל דיו היא טכניקה אמינה לפיזורם באופן הומוגני לפני יישום תרחיף הננו־חלקיקים על מצעים כגון רשתות או אלקטרודות. (ראו Belchi ועמיתיו 2019; Pichler ועמיתיו 2018)
פיזור אולטרסוני מתמודד בקלות עם ריכוזי מוצקים גבוהים (למשל משחות) ומפזר ננו־חלקיקים לחלקיקים בודדים, כך שנוצר תרחיף אחיד. הדבר מבטיח שביישום הבא, בעת ציפוי המצע, הצטברויות כגון אגלומרטים לא יפגעו בביצועי הציפוי.
פיזור אולטרסוני מאפשר הכנת תרחיפים אחידים של חלקיקים בגודל ננומטרי: עקומה ירוקה – לפני סוניקציה / עקומה אדומה לאחר סוניקציה
מעבדים אולטרסוניים לשיקוע פרובסקיט
Hielscher Ultrasonics מתכננת ומייצרת מערכות אולטרסוניות בעלות ביצועים גבוהים לסינתזה סונוכימית של גבישי פרובסקיט באיכות גבוהה. כמובילת שוק ובעלת ניסיון רב־שנים בעיבוד אולטרסוני, Hielscher Ultrasonics מסייעת ללקוחותיה החל מבדיקת ההיתכנות הראשונה, דרך מיטוב התהליך ועד להתקנה הסופית של מעבדים אולטרסוניים תעשייתיים לייצור בקנה מידה גדול. בזכות היצע מלא, החל ממכשירים אולטרסוניים למעבדה ולשולחן העבודה ועד למעבדים אולטרסוניים תעשייתיים, Hielscher יכולה להמליץ לכם על המכשיר האידיאלי לתהליך הננו־גבישים שלכם.
כל המכשירים האולטרסוניים של Hielscher ניתנים לשליטה מדויקת ולכוונון ממשרעות נמוכות מאוד ועד למשרעות גבוהות מאוד. המשרעת היא אחד הגורמים העיקריים המשפיעים על ההשפעה ועל מידת ההרס של תהליכי סוניקציה. המעבדים האולטרסוניים של Hielscher Ultrasonics מספקים טווח רחב מאוד של משרעות, המכסה יישומים החל מעדינים ורכים מאוד ועד לאינטנסיביים והרסניים מאוד. בחירת הגדרת המשרעת, מגבר המשרעת והסונוטרודה המתאימים מאפשרת לקבוע את ההשפעה האולטרסונית הנדרשת לתהליך הספציפי שלכם. התוסף המיוחד של Hielscher לריאקטור תא זרימה, MPC48 – MultiPhaseCavitator (ראו תמונה משמאל) – מאפשר להזריק את הפאזה השנייה דרך 48 קנולות בתור "thin strain" אל מוקד הקוויטציה, שבו גלים אולטרסוניים בעלי ביצועים גבוהים מפזרים את שתי הפאזות לתערובת הומוגנית. ה-MultiPhaseCavitator אידיאלי ליצירת אתרי זריעה לגבישים ולשליטה בתגובת השיקוע של ננו־גבישי פרובסקיט.
המעבדים האולטרסוניים התעשייתיים של Hielscher יכולים לספק משרעות גבוהות באופן יוצא דופן. ניתן להפעילם בקלות וברציפות במשרעות של עד 200µm במסגרת עבודה של 24/7. למשרעות גבוהות אף יותר זמינות סונוטרודות אולטרסוניות מותאמות אישית. העמידות של הציוד האולטרסוני של Hielscher מאפשרת הפעלה של 24/7 בעומסי עבודה כבדים ובסביבות תובעניות.
לקוחותינו מרוצים מהעמידות ומהאמינות יוצאות הדופן של מערכות Hielscher Ultrasonic. התקנתן בתחומי יישום הכרוכים בעומסי עבודה כבדים, בסביבות תובעניות ובהפעלה של 24/7 מבטיחה עיבוד יעיל וחסכוני. הגברת תהליכים באמצעות אולטרסאונד מקצרת את זמן העיבוד ומשיגה תוצאות טובות יותר, כלומר איכות גבוהה יותר, תפוקות גבוהות יותר ומוצרים חדשניים.
הטבלה שלהלן מספקת אומדן לקיבולת העיבוד המשוערת של המכשירים האולטרסוניים שלנו:
| נפח אצווה | ספיקת זרימה | מכשירים מומלצים |
|---|---|---|
| 0.5 עד 1.5mL | n.a. | VialTweeter |
| 1 עד 500mL | 10 עד 200mL/min | UP100H |
| 10 עד 2000mL | 20 עד 400mL/min | UP200Ht, UP400St |
| 0.1 עד 20L | 0.2 עד 4L/min | UIP2000hdT |
| 10 עד 100L | 2 עד 10L/min | UIP4000hdT |
| n.a. | 10 עד 100L/min | UIP16000 |
| n.a. | גבוהה יותר | אשכול של UIP16000 |
צרו איתנו קשר! / שאלו אותנו!
הומוגנייזרים אולטרסוניים רבי־עוצמה לשימוש החל מיישומי מעבדה ועד ליישומי פיילוט ויישומים בקנה מידה תעשייתי.
ספרות ומקורות
- Raphaëlle Belchi; Aurélie Habert; Eddy Foy; Alexandre Gheno; Sylvain Vedraine; Rémi Antony; Bernard Ratier; Johann Bouclé; Nathalie Herlin-Boimecor (2019): One-Step Synthesis of TiO2/Graphene Nanocomposites by Laser Pyrolysis with Well-Controlled Properties and Application in Perovskite Solar Cells. ACS Omega. 2019 Jul 31; 4(7): 11906–11913.
- Dong Myung Jang, Duk Hwan Kim, Kidong Park, Jeunghee Park, Jong Woon Lee, Jae Kyu Song (2016): Ultrasound synthesis of lead halide perovskite nanocrystals. Journal of Materials Chemistry C. Issue 45, 2016.
- Lung-Chien Chen, Zong-Liang Tseng, Shih-You Chen, Shengyi Yang (2017): An ultrasonic synthesis method for high-luminance perovskite quantum dots. Cermaics international 43, 2017. 16032-16035.
- Birgit Pichler; Kurt Mayer; Prof. Viktor Hacker (2018): Long‐Term Operation of Perovskite‐Catalyzed Bifunctional Air Electrodes in Rechargeable Zinc‐Air Flow Batteries. Batteries & Supercaps Vol. 2, Issue 4, April 2019. 387-395.
- Wei Peng, Lingfei Wang, Banavoth Murali, Kang-Ting Ho, Ashok Bera, Namchul Cho, Chen-Fang Kang, Victor M. Burlakov, Jun Pan, Lutfan Sinatra, Chun Ma, Wei Xu, Dong Shi, Erkki Alarousu, Alain Goriely, Jr-Hau He, Omar F. Mohammed, Tom Wu, Osman M. Bakr (2016): Solution-Grown Monocrystalline Hybrid Perovskite Films for Hole-Transporter-Free Solar Cells. Advanced Materials 2016.
עובדות שכדאי לדעת
פרובסקיט
פרובסקיט הוא מונח המתאר את המינרל פרובסקיט (הידוע גם כתחמוצת סידן וטיטניום או כטיטנאט הסידן, שנוסחתו הכימית היא CaTiO3) וכן מבנה מסוים של חומר. בהתאם לשמו, המינרל פרובסקיט מתאפיין במבנה פרובסקיט.
תרכובות פרובסקיט יכולות להופיע במבנה קובי, טטרגונלי או אורתורומבי, ונוסחתן הכימית היא ABX3. A ו-B הם קטיונים, ואילו X מייצג אניון הנקשר לשניהם. בתרכובות פרובסקיט, הקטיון A גדול משמעותית מהקטיון B. מינרלים נוספים בעלי מבנה פרובסקיט הם לופאריט וברידג'מניט.
לפרובסקיטים יש מבנה גבישי ייחודי, ובמבנה זה ניתן לשלב יסודות כימיים שונים. בשל המבנה הגבישי המיוחד, מולקולות פרובסקיט יכולות להפגין מגוון תכונות בעלות ערך, כגון מוליכות־על, התנגדות מגנטית גבוהה מאוד ו/או פרואלקטריות, ההופכות תרכובות אלה למעניינות מאוד ליישומים תעשייתיים. נוסף על כך, ניתן לשלב יחד מספר רב של יסודות שונים ליצירת מבני פרובסקיט, וכך לשלב, לשנות ולהעצים מאפיינים מסוימים של החומר. חוקרים, מדענים ומפתחי תהליכים משתמשים באפשרויות אלה כדי לתכנן באופן בררני ולמטב את המאפיינים הפיזיקליים, האופטיים והחשמליים של פרובסקיט.
תכונותיהם האופטואלקטרוניות הופכות פרובסקיטים היברידיים למועמדים אידיאליים ליישומי תאים סולריים, ותאים סולריים מבוססי פרובסקיט הם טכנולוגיה מבטיחה שעשויה לסייע בייצור כמויות גדולות של אנרגיה נקייה וידידותית לסביבה.
פרמטרים אופטואלקטרוניים קריטיים של פרובסקיט חד־גבישי שדווחו בספרות:
τs = 28 ns τb = 300 ns PL
1.3–4.3 µm3 × 1010MAPbI31.51 eV 820 nm67.2 (SCLC)
τs = 18 ns τb = 570 ns PL
1.8–10.0 µm1.4 × 1010MAPbI3850 nm164 ± 25 ניידות חורים (SCLC) 105 ניידות חורים (Hall) 24 ± 6.8 אלקטרון SCLC
82 ± 5 µs TPV 95 ± 8 µs ספקטרוסקופיית עכבה (IS)9 × 109 p175 ± 25 µm3.6 × 1010 עבור חור 34.5 × 1010 עבור אלקטרוןMAPbI31.53 eV 784 nm34 Hall
8.8 × 1011 p
1.8 × 109 עבור חור 4.8 × 1010 עבור אלקטרוןMAPbBr31.53 eV 784 nm34 Hall
8.8 × 1011 p
1.8 × 109 עבור חור 4.8 × 1010 עבור אלקטרוןMAPbBr32.24 eV 537 nm4.36 Hall
3.87 × 1012 p
2.6 × 1010 עבור חור 1.1 × 1011 עבור אלקטרוןMAPbCl32.24 eV 537 nm4.36 Hall
3.87 × 1012 p
2.6 × 1010 עבור חור 1.1 × 1011 עבור אלקטרוןMAPbCl32.97 eV 402 nm179 Hall
5.1 × 109 n
MAPbCl32.88 eV 440 nm42 ± 9 (SCLC)2.7 × 10-8τs = 83 ns τb = 662 ns PL4.0 × 109 p3.0–8.5 µm3.1 × 1010FAPbI31.49 eV 870 nm40 ± 5 ניידות חורים SCLC1.8 × 10-8
2.8 × 109
1.34 × 1010
| חומרים | פער אנרגיה או סף בליעה | ניידות [cm2 V-1 s-1] | מוליכות חשמלית [Ω-1 cm-1] | זמן חיי נושאי מטען ושיטת המדידה | ריכוז נושאי המטען וסוגם [cm-3] (n או p) | אורך דיפוזיה | צפיפות מלכודות [cm-3] |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MAPbBr3 | 2.21 eV 570 nm | 115 (TOF) 20–60 (Hall) 38 (SCLC) | τs = 41 ns τb = 457 ns (PL) | 5 × 109 עד 5 × 1010 p | 3–17 µm | 5.8 × 109 |

