Grafen ultratovush Dispersiya

  • kompozitlerin ichiga Grafen o'z ichiga uchun, Grafen bir xil formula ichiga bitta nano-jadvallari sifatida, ko'chishi / tarqalib kerak. Favqulodda moddiy xususiyatlari ekspluatatsiya qilingan yaxshi, deagglomeration sinf yuqori.
  • Ultratovush dispersiya bir ustun zarracha tarqatish va dispersiya barqarorlik uchun imkon beradi – hatto yuqori kontsentratsiyasi va viskozitelerde da shakllantirish qachon.
  • grafen ultratovush ishlash mashhur dispersiyasi fazilatlarni beradi va uzoq tomonidan an'anaviy aralashtirish usullari fikrdan ustun.

Grafen ultratovush Dispersiya

kompozitlerini bunday kuch sifatida grafen mashhur moddiy xususiyatlarini qarz uchun, Grafen bir matritsasi ichiga parchalandi kerak yoki bir substrat ustiga ingichka-film qoplama sifatida qo'llaniladi. To'plash, eroziya va (o'z navbatida, substrat yoki zarracha tarqatish) bir Matrix ichiga dispersiyasi Olingan ma'lumotni ning xususiyatlarini ta'sir muhim omil bo'ladi.
Tufayli hidrofob tabiati, sirt faol moddalar yoki dispersiyon holda barqaror va yuqori darajada joyga jamlanganda Grafen tarqalishi tayyorlash bir qiyin vazifa hisoblanadi. van der Waals kuchlari yengish uchun, kuchli siljish kuchlari tomonidan hosil ultratovush kavitasyon barqaror PVA tayyorlash uchun eng murakkab usul hisoblanadi.
yuqori elektr o'tkazuvchanlik bilan Grafen (712 S · m-1), Yaxshi dağılma va yuqori kontsentratsiyasi osonlik kabi, bir ultratovush disperser yordamida tayyorlangan mumkin UIP2000hdT yoki UIP4000. Sonikasyon taxminan past jarayoni haroratda barqaror Grafen dispersiyasi tayyorlash imkonini beradi. 65 ° C.

Ultrasonik, ko'chishi Grafen oksidi nanosheets (Oh va boshq., 2010)

Ultrasonik tarqatilgan Grafen nanosheets SEM image

Ma'lumot so'rovini




Bizning e'tibor bering Maxfiylik siyosati.


sonikasyon jarayoni parametrlarni aniq nazorat qilish mumkin buyon, ultratovush dispersiyasi texnologiya grafen kimyoviy va billur tuzilmalar zarar oldini oladi – pok, nuqson-bepul Grafen parchasi natijasida.
Hielscher kuchli ultratovush tizimlari, masalan, yirik hajmlarda Grafen va grafit qayta ishlash quvvatiga ega bo'lgan suyuq fazali eksfoliasyonlu va grafen tarqalishi uchun. jarayon parametrlari ustidan qattiq nazorat to'liq tijorat ishlab chiqarish uchun eshak-yuqoridan ultratovush jarayonlarning uzluksiz ko'lamli-up uchun imkon beradi.
Ultrasonik taxminan bilan necha-qatlam Grafen ko'chishi. 3-4 qatlamlari va taxminan. 1 mm hajmi (qayta) kamida 63 mg / ml konsentrasiyalarda tarqatilgan bo'lishi mumkin.

afzalliklari:

    • yuqori sifatli Grafen

ultratovush disperser bilan Grafen tozalash UP400St

  • yuqori hosil
  • forma dispersiyasi
  • yuqori konsentratsiyasi
  • yuqori viskoziteler
  • tez jarayoni
  • arzon
  • yuqori xar
  • yuqori samarali
  • ekologik-do'st
Yuqori elektr ultratovush tarqatish tizimi (7x UIP1000hdT) sanoat miqyosida Grafen qayta ishlash. (Kattalashtirish uchun bosing!)

Grafen dispersiyalar uchun 7kW ultratovush reaktor

Ultratovush dispersleme tizimlari

Hielscher ultratovush mono, bi- va bir necha qatlamli grafen kirib eksfoliasyonlu va hajm qatlamli grafen va grafit tarqalishi uchun yuqori elektr ultratovush tizimlari taqdim etadi. ultratovush jarayoni natijalar istalgan jarayon maqsadlarga to'g'ri sozlangan bo'lishi mumkin, shunday qilib ishonchli ultratovush Protsessorlar va murakkab reaktor, jarayon sharoitlar, shuningdek, aniq nazorat kerak bo'lgan kuch berish.
eng muhim jarayon parametrlarini biri ultratovush amplitudasi (ultratovush shox da tebranish olish) hisoblanadi. Hielscher ning sanoat ultratovush tizimlari juda yuqori amplitüdlerin xalos qilish uchun qurilgan. 200μm gacha amplitüdlerinde osonlik doimiy 24/7 ishga tushirish mumkin. Hatto oliy amplitüdler uchun, Hielscher maxsus ultratovush datchiklari taklif etadi. Barcha ultratovush Protsessorlar aniq talab jarayon shartlariga o'rnatildi va osonlik bilan o'rnatilgan dasturiy orqali kuzatilishi mumkin. Bu eng yuqori ishonchliligi, izchil sifati va tekrarlanabilir natijalar beradi. Hielscher ning ultratovush uskunalar mustahkamligi og'ir da 24/7 operatsiya uchun va talab muhitda beradi. Bu sonikasyon mono va bir necha qatlamli Grafen nanosheets keng ko'lamli tayyorlash uchun afzal qilingan ishlab chiqarish texnologiyasi qiladi.
(Boshqalar oqim tezligi, masalan, reagentlar, hajmi, bosim, harorat boshiga ultratovush energiyasi kiritish) ultrasonicators va (masalan, turli kattalikdagi va geometrik bilan sonotrodes va reaktor kabi) aksessuarlar, eng munosib reaktsiya sharoitlari va omillar keng mahsulot qator taklif bo'lishi mumkin eng yuqori sifat olish uchun tanlangan. Bizning ultratovush reaktor bir necha yuz barg, 250,000 santipoise'lık Hielscher ning ultratovush tizimlari uchun hech qanday muammo bor bilan juda yopishqoq pastalari sonikasyon gacha bosimli bo'lishi mumkin beri.
Omillar tufayli, ultratovush delaminasyon / tozalash va tarqatish an'anaviy silliqlash va yanchilgan texnikasi fikrdan ustun.

Hielscher ultratovush

  • Oliy Power ultratovush
  • yuqori kesish kuchlari
  • yuqori bosim amaldagi
  • aniq nazorat qilish
  • choksiz ölçeklenebilirlik (chiziqli)
  • partiyasi va oqimi orqali
  • tekrarlanabilir natijalar
  • ishonchliligi
  • chidamlilik
  • yuqori energiya samaradorligi

Biz bilan bog'lanish! Bizdan so'rang!

Qo'shimcha ma'lumotni so'rang

Ultrasonik homojenizasyon haqida qo'shimcha ma'lumot talab qilish bo'lsangiz, iltimos, quyidagi shaklni foydalaning. Sizga talablarga javob beradigan ultratovushli tizimni taklif qilishdan mamnun bo'lamiz.









Iltimos, bizning e'tibor bering Maxfiylik siyosati.


Adabiyotlar / manbalar

Tegishli xabarlar

Bilishingiz kerak bo'lgan dalillar

Grafen

Grafen bir qavatli uglerod qatlami bo'lib, bir qavatli yoki grafenli 2D tuzilishi (bir qatlamli graphene = SLG) deb ta'riflanishi mumkin. Grafen juda ajoyib maxsus sirt maydoni va yuqori mexanik xususiyatlarga ega (Young TPa moduli va 130 GPa ichki quvvati), katta elektron va issiqlik o'tkazuvchanligi, zaryadlovchi tashuvchisining harakatlanishi, shaffoflik va gazlar uchun o'tkazilmasin. Ushbu moddiy xususiyatlar tufayli grafen kompozitlarni uning kuchi, o'tkazuvchanligi va boshqalarni berish uchun mustahkamlovchi qo'shimchalar sifatida ishlatiladi. Grafen xususiyatlarini boshqa materiallar bilan birlashtirish uchun grafen aralashga tarqalishi yoki ingichka kino qoplamasi sifatida qo'llanilishi kerak pastki qatlamga
tez-tez Grafen nanosheets tarqatish uchun suyuq faza sifatida ishlatiladi Common, hal qiluvchi, dimetil sülfoksit (DMSO) o'z ichiga oladi, N, N-dimetilformamid (DMF), N-metil-2-pirolidon (NMP), Tetramethylurea (villach, tetrahidrofuran (THF) , propilen carbonateacetone (PC), o'rganish va halo.

Nima uchun kompozitlerini Grafen asoslangan?

Grafen taxminan bir og'irlik bilan, bir atomi yupqa qalinligi bilan. 1m boshiga 0,77 mg2 engil va 150,000,000 (po'latdan 100-300 marta kuchliroq) psi va 130.000.000.000 Paskal ma'lum kuchli moddiy bir valentlik kuch valentlik qattiqlik bilan. Bundan tashqari, Grafen (4,84 ± 0,44) × 10 bilan xona haroratida yaxshi issiqlik o'tkazgich (bo'ladi3 (5.30 ± 0.48) × 103 W · m-11 · K-1) Va eng yaxshi elektr o'tkazgich (elektron harakatchanlik yuqori bo'lib 15,000 sm2· V-1· s-1). grafen yana bir muhim xususiyatlari oq nur πα≈2.3% bir yorug'lik assimilyatsiya bilan optik mulk va uning shaffof ko'rinishi hisoblanadi.
matrisler ichiga Grafen, shu jumladan, o'sha mashhur moddiy xususiyatlari noyob vazifalarni taqdim etadi Olingan kompozit, transfer bo'lishi mumkin. Bunday Grafen-dori kompozit materiallar ishlab chiqish va sanoat ilovalar uchun yangi imkoniyatlar taklif etamiz. Tufayli, uning xususiyatlariga, Grafen va grafen-kompozit allaqachon keng yuqori samarali batareyalar supercapacitors, Supero'tkazuvchilar bo'yoqlar, qoplamalar, fotoelektr tizimlari va elektron qurilmalar ishlab chiqarish tarqaladi
Hielscher kuchli ultratovush Protsessorlar murakkab matrislerinin kirib bir hil Grafen nanosheets tarqatish uchun van der Waals kuchlari yengish uchun zarur yuqori kesish kuchlarini taslim. kabi ultratovush dispersers UIP2000hdT yoki UIP16000 graphene- va grafen oksidi-dori nano-kompozit ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.