Producción grafeno ultrasónico

Síntesis ultrasónica grafeno a través de ar exfoliación grafito ge ár nt'ot'e mäs confiable ne ventajoso pa producir láminas grafeno mextha hño ma escala industrial. Ya procesadores ultrasónicos mar hñets'i rendimiento Hielscher ya controlables ko ya precisión ne xi generar amplitudes xi altas jar funcionamiento 24 yá 7. 'Me̲hna permite hoki ar dätä volúmenes grafeno prístino 'nar bí hei ne controlable ya tamaño.

Nt'ot'e ultrasónica ar grafeno

Hoja grafenoDado ke mi pädi ya características 'mefa grafito, ar xi desarrollado varios nt'ot'e pa ár mfädi. A el lado de producción química graphenes ar grafeno óxido jar procesos múltiples pasos, da na mpa oxidantes ne agentes reducción ya mahyoni. 'Nehe, ar grafeno preparado jár gi duras nkohi químicas ma menudo contienen 'nar Nar dätä hño yá 'bede ya defectos 'nehe 'mefa xta reducción jar comparación ko graphenes obtenidas ya ma'ra ya nt'ot'e. Wat'i, ar ultrasonido ge 'nar 'na ar mpa̲ti probada pa producir grafeno mextha ar hño, 'nehe jar dätä ar cantidades. Ya investigadores xi desarrollado formas ligeramente 'na'ño usando ultrasonido, pe da general ar producción grafeno ge 'nar proceso simple 'nar Honto bi thogi.

Exfoliación ultrasónica grafeno jar dehe

'Nar secuencia mextha velocidad (ar ar a da f) ar fotogramas da ilustran ar exfoliación sonomecánica 'nar escama grafito jar dehe utilizando ar UP200S, 'nar ultrasonido 200W ko sonotrodo 3 mm. Ya flechas muestran lugar división (exfoliación) ko burbujas cavitación da penetran ar división.
(estudio ne fotos: © Tyurnina et jar el. 2020)

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UIP2000hdT — Ultrasonicador 2kW pa procesamiento líquidos.

UIP2000hdT – 2kW potente ultrasonicador pa exfoliación grafeno

Ventajas exfoliación ultrasónica ko grafeno

Ya ultrasonidos ne reactores ar klase sonda Hielscher convierten ar exfoliación grafeno ja 'nar proceso altamente nt'ot'e xi hño utilizado pa producir grafeno a partir de grafito ir nge ar nt'ot'e potentes ondas ultrasonido. Nuna ar técnica ofrece ndunthe ventajas dige ma'ra ya nt'ot'e producción grafeno. Ya ndu'mi njapu'befi exfoliación ultrasónica ko grafeno ge nuya:

  • Mextha dätä nt'ot'e: Exfoliación grafeno a través de ultrasonidos ar klase sonda ge 'nar nt'ot'e xi nt'ot'e xi hño ár producción ar grafeno. Pe producir dätä cantidades grafeno mextha ar hño jar hingi maa 'nar período ya pa.
  • Jár costo: Equipo requerido pa ar exfoliación ultrasónica jar producción industrial grafeno ar relativamente barato jar comparación ko ma'ra ya nt'ot'e producción grafeno, komongu ar deposición química vapor (CVD) ne ar exfoliación mecánica.
  • Escalabilidad: Ar exfoliación ar grafeno a través de ultrasonidos ar tsa̲ da ntu̲ngi hingi hembi da pa ar producción tso̲kwa gran escala ar grafeno. Ar exfoliación ar ultrasónica ne ar dispersión grafeno ar xi ejecutar jar lotes, nja'bu komongu ja 'nar proceso continuo jar 'ñu. 'Me̲hna nä'ä bi pa̲ti ja 'nar opción viable pa aplicaciones escala industrial.
  • Ar control dige ya propiedades ar grafeno: Ar exfoliación ne ar delaminación ko grafeno ir nge ya ultrasonidos ar klase sonda permite 'nar control preciso dige ya propiedades ar grafeno producido. 'Me̲hna mfa̲ts'i 'bu̲i ár tamaño, ya grosor ne ya 'bede ya capas.
  • Mínimo impacto ambiental: Ar exfoliación grafeno ko 'nar ultrasonido probado ge 'nar nt'ot'e ecológico producción grafeno, ya ke ar tsa̲ da zu̲di ko solventes hi'nä tóxicos ne ambientalmente benignos komongu ar dehe wa ar etanol. 'Me̲hna ir bo̲ni ke ar delaminación ultrasónica grafeno permite nu'bu wa reducir njapu'befi productos químicos agresivos wa altas ar temperaturas. 'Me̲hna nä'ä bi pa̲ti ja 'nar 'na ar mpa̲ti ecológica ja ya nt'ot'e producción grafeno.

Da general, ar exfoliación grafeno ultrasonidos ne reactores ar klase sonda Hielscher ofrece 'nar nt'ot'e rentable, escalable ne respetuoso ko ar nt'uni mbo jar ximha̲i ar producción grafeno ko 'nar control preciso dige ya propiedades ar hñei resultante.

Ejemplo pa producción simple grafeno usando sonicación

Ar grafito ar agrega ja 'nar mezcla ácido orgánico diluido, alkol ne ya dehe, ne Gem'bu̲ ar mezcla bí expone bí irradiación ar ultrasónica. Ar ácido funciona Honja 'nar “cuña molecular” da separa ya hojas grafeno grafito yá mengu. Ir nge nuna sencillo proceso, bí crea 'nar Nar dätä hño yá 'bede ya grafeno intacto, mextha hño, dispersada jar dehe. ('Nar et jar el. 2010)
 

Ar video gi 'ñudi mezcla ar ultrasónica ne ar dispersión grafito jar 250 ml resina epoxi (Toolcraft L), utilizando 'nar homogeneizador ultrasónico (UP400St, Hielscher Ultrasonics). Hielscher Ultrasonics fabrica equipos pa dispersar grafito, grafeno, nanotubos carbono, nanocables wa cargas ar laboratorio wa jar procesos producción mar hñets'i ar volumen. Ya aplicaciones típicas ya dispersión nanomateriales ne micromateriales Nxoge ar proceso funcionalización wa da dispersar jar resinas wa ya polímeros.

Mezcle resina epoxi ko relleno grafito utilizando ar homogeneizador ultrasónico UP400St (400 vatios)

Miniatura vídeo

 

Ya nanoplaquetas ar grafeno apiladas ar tx'u̲tho capas hinda defectos ar producen ir nge ya sonicación

Imágenes microscopio electrónico transmisión mextha resolución nanoláminas ar grafeno obtenidas
ir nge ar dispersión fase acuosa asistida ya ultrasonidos ne ya nt'ot'e Hummer.
(Estudio ne gráfico: Ghanem ne Rehim, 2018)

 
Da uni mäs ungumfädi dige ar síntesis, ar dispersión ne ar funcionalización ultrasónica grafeno, 'yot'e clic nuwa:

 

Exfoliación grafeno directo

Ar ultrasonido permite ar nt'ot'e graphenes líquidos iónicos, solventes orgánicos ne soluciones ya tensioactivos ne ya dehe. 'Me̲hna ir bo̲ni ke to nu'bu da njapu'befi ya oxidantes fuertes wa agentes reductores. Grafeno Stankovich et ar (2007) producido ya exfoliación ko ya ultrasonidos.
Ya imágenes AFM ar óxido grafeno exfoliado ir nge ar nt'ot'e ultrasónico ma concentraciones 1 mg yá ml jar dehe nzäm'bu̲ revelaron 'bu̲i Kwä láminas ko espesor uniforme (~ 1 nm; ar ejemplo ar gi 'ñudi ja ar tsita tso̲kwa continuación). Gi muestras xi hño exfoliadas óxido grafeno hingi contenían láminas mäs gruesas wa delgadas 1 nm, da lleva ár njäts'i nu'bu nä'ä exfoliación nxo̲ge ar óxido grafeno asta ya láminas Nthuts'i óxido grafeno ar logró ja nuya. (Stankovich et jar el. 2007)

Ya sondas ne reactores ultrasónicos mextha nts'edi Hielscher ge ar herramienta ideal pa ndi hoki grafeno, tanto jar escala laboratorio nu'u̲ jar flujos procesos comerciales Nxoge.

Tsita AFM ar láminas GO exfoliadas ko hñu perfiles altura adquiridas ja ya 'na'ño ubicaciones
(fotografiya ne estudio: ©Stankovich et jar el., 2007)

Nt'ot'e hojas grafeno

Stengl et jar ar. Xi demostrado jar nt'ot'e exitosa láminas grafeno binu jar dätä cantidades Nxoge ar producción nanocomposición grafeno TiO2 hingi estequiométrica ir nge ya hidrólisis térmica suspensión ko nanoláminas grafeno ne complejo titania ar peroxo. Ya nanoláminas grafeno binu ar produjeron a partir de grafito xi utilizando 'nar hwähi ar cavitación mextha intensidad generado ir nge ar procesador ultrasónico UIP1000hd Hielscher ja 'nar reactor ultrasónico presurizado 5 ar bar. Ya láminas ar grafeno obtenidas, mextha superficie específica ne propiedades electrónicas únicas, ar xi utilizar komongu 'nar soporte xi hño pa da TiO2 ar mejore ar nt'ot'e fotocatalítica. Ar Hmunts'i ya nthoni afirma ke ya grafeno preparado ya ultrasonidos ar xingu dätä da grafeno obtenido ir nge ar nt'ot'e Hummer, ho ar grafito bí exfolia ne oxida. Komo ya nkohi físicas jar reactor ar ultrasónico ar xi controlar ko ya precisión ne ir nge ar suposición nä'ä concentración grafeno komongu dopante variará jar rango 1 – 0. 001%, ar producción grafeno ja 'nar ko ya continuo da escala yá 'ma bí instala hingi hembi da. Ultrasonidos ya industriales ne ya reactores jar 'ñu pa exfoliación nt'ot'e xi hño grafeno mextha ar hño gi 'bu̲hu̲ hingi hembi da da 'mui.

Reactor ultrasónico pa ar exfoliación grafeno.

Reactor ultrasónico pa ar exfoliación ne ar dispersión grafeno.

Mfädi ya nt'ot'e ultrasónico ar oxido ar grafeno

O et jar el., (2010) xi demostrado 'nar ruta mfädi utilizando irradiación ultrasónica pa producir capas grafeno óxido (ma). Ir suspendieron 25 miligramos polvo óxido grafeno jar 200 ml ar dehe desionizada. Ya agitación obtiene 'nar suspensión hingi homogénea ar njät'i marrón. Ya suspensiones da t'ot'e 'na bi sonicación (30 ar min, 1.3 × 105J), ne después secado (ma 373 ë) óxido grafeno ir nge ya ultrasonidos tratada bí producido. 'Nar espectroscopia FTIR mostró ke ár nt'ot'e ultrasónico hingi cambió ya Hmunts'i funcionales ar oxido ar grafeno.

Nanosheets óxido grafeno ir nge ya ultrasonidos exfoliada

Tsita SEM ar nanoláminas prístinas ar grafeno obtenidas ya ultrasonido (o et jar el., 2010)

Funcionalización hojas grafeno

Xu ne Suslick (2011) describen 'nar nt'ot'e ne bi thogi mahyoni pa ar nt'ot'e poliestireno grafito funcionalizado. Ár estudio, gi japu̲'be̲fi ya grafito ne estireno komongu materia prima básica. Ya sonicando ya escamas grafito jar estireno (monómero reactivo), ar irradiación ultrasonido umbi komongu ar nt'uni ar exfoliación mecanoquímica hojuelas grafito jar láminas grafeno 'nar sola capa ne capa ar 'ra pocos. Ma xkagentho pa, bí xi logrado jar funcionalización ya hojas grafeno ko ya cadenas poliestireno.
Ar xkagentho proceso funcionalización to da da t'ot'e ko ma'ra monómeros ar vinilo pa composites basados jar grafeno.

Ya ultrasonidos mar hñets'i rendimiento ge 'nar exfoliación confiable ne altamente nt'ot'e xi hño nanoláminas ar grafeno prístinas jar producción continua jar 'ñu.

Ko ultrasonido nts'edi industrial pa exfoliación industrial grafeno jar 'ñu.

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Dispersiones grafeno

Ár 'mui dispersión ar oxido grafeno ne grafeno ar extremadamente mahyoni utilizar nga̲tho ar ár hne ar grafeno ko yá características específicas. Nu'bu̲ ar grafeno hingi bí dispersa jár nkohi controladas, ar polidispersidad ar dispersión grafeno to da t'ot'e ar comportamiento imprevisible wa nonideal mbi bí incorpora ja ya dispositivos ya ne ya propiedades ar grafeno varían ir nge yá estructuras parámetros. Sonicación ge 'nar nt'ot'e probado da debilitar ya ndu nzafi capa intermediaria ne permite 'nar control preciso ya parámetros proceso mahyoni.
"Pa ar óxido grafeno (ma), ne ar típicamente exfoliated komongu hojas sola 'nar capa, 'na ya retos ja ar polidispersidad surge ar variaciones jar área lateral ya escamas." Ar xi demostrado ne ar tamaño medio lateral ya to da cambiado ar puesto 400 nm jar 20 ar μm cambiando ar grafito a partir de hñei ne ya nkohi sonicación." (Xí et jar el. 2010)
Dispersión ultrasónica grafeno resulta lodos finos ne 'nehe coloidales ar xi demostrado jar varios ya nsadi. (Liu et jar el. 2011 yá Baby et jar el. 2011 yá Choi et jar el. 2010)
Zhang et jar el., (2010) xi demostrado ke ir nge njapu'befi ya ultrasonidos bí consigue 'nar dispersión grafeno hingi mpa̲ti ko 'nar concentración mextha 1 ar mg·mL−1 ne ar hojas grafeno relativamente binu, ne ya hojas grafeno komongu hñoki exhiben 'nar mextha conductividad eléctrica ar 712 S ·m−1. Ya resultados Fourier transformaron espectros infrarrojo ne Raman spectra ar nt'ot'e eku̲samen indica ke ár nt'ot'e ár nt'ot'e ultrasónica pe̲ts'i menos ngi estructuras ya químicas ne ya xito grafeno.

Ultrasonidos mar hñets'i rendimiento pa exfoliación grafeno

Ultrasonido mar hñets'i rendimiento UIP4000hdT pa aplicaciones industriales. Ko ya ultrasónico ar mextha nts'edi UIP4000hdT ar gi japu̲'be̲fi pa ar exfoliación continua jar 'ñu ar grafeno. Pa ar producción nano — hojas ar grafeno mextha ar hño, bí requiere 'nar equipo ultrasónico confiable ar mar hñets'i ar rendimiento. Amplitud, presión ne mpat'i ya parámetros esenciales, ne ya cruciales pa ar reproducibilidad ne ar hño nzäm'bu̲ ar producto. Hielscher Ultrasonidos’ Ya procesadores ultrasónicos ya sistemas potentes ne controlables ko ar precisión, da permiten ar za exacto ya parámetros ar proceso ne ar salida continua ultrasonido mextha nts'edi. Ya procesadores ultrasónicos industriales ar Hielscher Ultrasonics ar xi ofrecer amplitudes xi altas. Las amplitudes de hasta 200 μm se pueden ejecutar fácilmente de forma continua en funcionamiento 24/7. Pa amplitudes aún mi mäs altas, gi 'bu̲hu̲ da 'mui sonotrodos ultrasónicos personalizados. Ar robustez ar equipo ultrasónico Hielscher permite 'nar funcionamiento 24 yá 7 jar 'be̲fi pesados ne entornos exigentes.
HMUNTS'UJE clientes gi satisfechos ar excelente robustez ne fiabilidad ya sistemas ultrasonidos Hielscher. Instalación jar campos ya nt'ot'e pesada, entornos exigentes ne operación 24 yá 7 garantiza 'nar procesamiento nt'ot'e xi hño ne ya bojä. Ar intensificación ar proceso ultrasónico reduce ar pa procesamiento ne logra mpädi mäs xi resultados, es decir, dätä hño, pe̲ts'i ar rendimientos, productos innovadores.
Xtí tabla bí xta ar 'nar indicación ya mfeni ya procesamiento aproximado HMUNTS'UJE ultrasonicators:

Volumen lote Tasa flujo Dispositivos recomendados
0.5 1.5mL n.a. VialTweeter
1 jar 500mL 10 200 mL yá min UP100H
10 da 2000mL 20 400 mL yá min. UP200Ht, UP400St
0.1 da 20L 0.2 4 L yá min UIP2000hdT
10 da 100L 2 10 L yá min UIP4000hdT
n.a. 10 100 L yá min UIP16000
n.a. mäs dätä Cluster ar UIP16000

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Da 'yadi mäs ungumfädi

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Nt'ot'e Nanoscrolls ar carbono

Ya nanoscrolls carbono xkagentho ja ya nanotubos carbono paredes múltiples. Diferencia ko ya MWCNT ya yá ñä ar abiertas ne ar plena accesibilidad ya superficies internas ja ma 'ra ya moléculas. Ar xi sintetizar químicamente jar nxa intercalando grafito ko ar potasio, exfoliando jar dehe ne sonicando ar suspensión coloidal. (cf. Viculis et jar el. 2003) Ar ultrasonicación ayuda desplazamiento nu'bu mañä ja ya monocapas grafeno jar nanoscrolls carbono (ga gráfico tso̲kwa continuación). Ar xi logrado 'nar mextha dätä nt'ot'e ar conversión ar 80%, nä'ä mi thogi ne ar producción nanoscrolls da interesante pa aplicaciones comerciales.

Síntesis asistida ya ultrasonidos carbono nanoscrolls

Síntesis ultrasónica nanoscrolls carbono (Viculis et jar el. 2003)

Nt'ot'e Nanoribbons

Ar Hmunts'i ya nthoni Hongjie Dai ne yá colegas ar dätä nguu ar Stanford bí nthe̲hu̲ 'nar técnica pa ndi hoki ar nanoribbons. Cintas grafeno ya finas tiras grafeno da pets'i ar características xí útiles da láminas ar grafeno. Jar anchos ar getu'bu̲ ar 10 nm wa menos, comportamiento cintas grafeno ar similar ja 'nar semiconductor nu'u̲ electrones mi handi obligados mover bí ma nä'ä ya'bu̲. Ir dar tsa̲ da interesante ga nanoribbons ko ya 'befi komongu semiconductor jar electrónica (e.g. pa chips ar computadoras mäs t'olo, mäs rápidos).
Bases ya nt'ot'e Dai et jar el. ar graphene nanoribbons jar yoho ya pasos: jar ndu̲i lugar, aflojaron ya capas grafeno ar grafito ja 'nar nt'ot'e ya pa 1000 º c Nxoge 'nar t'olo ora ar 3% ar hidrógeno jar gas jar argón. Pos hä, ar grafeno bí divide jar tiras ir nge ya ultrasonidos. Ya nanoribbons obtenidos ir nge nuna ar técnica bí caracteriza ya mucho 'nar mäs za̲tho’ bordes ya fabricados ya nt'ot'e convencionales litográficos. (Jiao et jar el. 2009)

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Producción grafeno asistida ya ultrasonidos


Hechos Bale ar penä ga pädi

¿Ter 'me'ä ar grafeno?

Grafito ar compone ar yoho láminas tridimensionales ar átomos thehñä cruzado ya hibridación sp2, hexagonally dispuestos, ar grafeno, ne bí apilan ar regularmente. Hojas ar átomo — fina ar grafeno, o̲t'e ar grafito ya interacciones hingi vinculación, bí caracterizan ja 'nar dätä superficie extrema. Graphene demuestra 'nar extraordinaria ndu nzafi ne firmeza a lo largo de ár basal niveles da alcanza ko aprox. 1020 GPa kasu̲ ár hmädi ya ndu nzafi ar diamante.
Graphene ge 'nar 'mu̲i estructural básico ar 'ra ya alótropos da 'ñent'i, 'nehe ya grafito, carbono nanotubos ne ar fullerenos. Utilizado komongu ar aditivo, grafeno to mejorar considerablemente ya propiedades eléctricas, físicas, ar mecánica ne ar barrera compuestos poliméricos jar cargas xi bajas. (Xu, Suslick 2011)
Ja yá propiedades, ar grafeno ge 'nar hñei superlativos ne nuna modo prometedor pa ya industrias da producen compuestos, revestimientos wa microelectrónica. Geim (2009) pede ar grafeno komongu supermaterial concisa jar Xtí xeni:
"Ar hñei mäs delgado jar jar ximha̲i ne ar mäs xí nze̲di ne bí xifi hingi medido. Yá portadores carga exhiben movilidad intrínseca gigante, pe̲ts'i ar zu'we masa xi hño (ar xí mpa) ne xi viajar distancias micrómetro largo hinda dispersión jar mpat'i ambiente. Grafeno xi soportar densidades corriente 6 órdenes mäs altas nä'ä ar cobre, gi 'ñudi registro térmico conductividad ne rigidez, ar impermeables ja ya gases ne reconcilia cualidades contradictorias komongu fragilidad ne ar ductilidad. Transporte electrones ja ar grafeno xí descrito ja 'nar ecuación ar Dirac — komongu, da permite ár nthoni ya fenómenos cuánticos ar relativistas ja 'nar experimento sobremesa."
Nu'bya gi características sobresalientes ar hñei, ar grafeno ge 'na ya materiales mäs prometedores ne o 'mu̲i jar foco ár nthoni nanomateriales.

Aplicaciones potenciales pa ar grafeno

Aplicaciones biológicas: xta 'nar ejemplo pa jar nt'ot'e ultrasónica grafeno ne ár njapu'befi biológico jar estudio "Síntesis ar ar grafeno — k'axt'i nanocompuestos ir nge ya aceleración reducción" ya Park et jar el., (2011), ho 'nar nanocompuesto ar oxido ar grafeno reducido bí sintetizada nanopartículas ar — Gold (AU) reducción ya iones k'axt'i ne njwati nanopartículas k'axt'i jar superficie óxido grafeno reducido simultáneamente jar xkagentho ar pa. Pa ár hño ja ar reducción ya iones ar k'axt'i ne generación 'befi oxígeno da anclaje ya nanopartículas k'axt'i jar óxido grafeno reducida, irradiación ultrasonido bí aplicada bí mezcla ar reactivos. Producción biomoléculas k'axt'i modificado péptido enlace gi 'ñudi ár hne ar irradiación ultrasónica grafeno ne ya compuestos grafeno. Ir ar ultrasonido gi 'bu̲i 'nar herramienta adecuada pa ndi hoki ma 'ra ya biomoléculas.
Electrónica: Ar grafeno ge 'nar hñei altamente funcional pa ar sector electrónico. Ya ar mextha movilidad ya portadores carga mbo jar red grafeno grafeno ge ya dätä 'befi pa ár nte ya componentes electrónicos ar rápidos jar tecnología mextha ar frecuencia.
Sensores: Ar grafeno ultrasonidos exfoliada to utilizar ar pa ar producción sensores altamente sensibles ne selectivos conductrimétrico (ya 'mu̲i resistencia cambia rápidamente >10 000% vapor etanol saturado) ne ultracapacitores determinada mfeni extremadamente mextha (120 F/g), densidad nts'edi (105 kW yá kg) ne densidad energía (Wh yá kg 9,2). ('Nar et jar el. 2010)
Pathe: pa ar producción pathe: 'nar nt'ot'e ar ngehnu̲ to da njapu'befi ya ar grafeno jar producción pathe, 'bu̲i membranas grafeno xi da utilizadas pa destilar alkol ne bebidas alcohólicas nä'ä mäs xí nze̲di.
Komongu ar mäs xí nze̲di, mäs conductora ne 'na mäs ya ligeras ne ya materiales mäs flexibles, ar grafeno ge 'nar hñei prometedor pa células solares, catálisis, pantallas transparentes ne emisiva, micromecánica resonadores, transistores, komongu cátodo jar baterías litio — air, pa detectores químicos ultrasensibles, recubrimientos conductores nja'bu̲ komongu njapu'befi komongu aditivo jar compuestos.

Ar ndui 'be̲fi ultrasonido alta ir nge

Ya ar sonicar líquidos da altas ya intensidades, ya ondas sonoras da propagan jar made líquido gi komongu ar nt'uni ciclos alternos mextha presión (compresión) ne xí hñets'i'i presión (rarefacción), ko velocidades da dependen ar frecuencia. Nxoge ar ciclo xí hñets'i'i ya presión, ya ondas ultrasónicas mextha intensidad crean t'olo burbujas vacío wa vacíos ja ar líquido. Nu'bu̲ ya burbujas alcanzan volumen ja ya hingi xi absorber energía, colapsan violentamente Nxoge 'nar ciclo mextha ar presión. Nuna ar fenómeno bí denomina ar cavitación. Nxoge ar implosión ar alcanzan temperaturas xi altas (aprox. 5,000 ë) ne presiones (aprox. 2, 000atm) localmente. Ar implosión ar burbuja cavitación 'nehe xta komongu ar nt'uni chorros líquido asta 280 m yá s velocidad. (Suslick 1998) Cavitación generada ya ultrasonidos causa efectos químicos ne físicos, ne bí xi da t'uni ja ya procesos.
La sonoquímica inducida por cavitación proporciona una interacción única entre la energía y la materia, con puntos calientes dentro de las burbujas de ~ 5000 K, presiones de ~ 1000 bar, velocidades de calentamiento y enfriamiento de >1010 ë s — 1; Gi 'mefa nkohi permiten nthogi ja 'nar gama espacio reacción química normalmente hi'nä accesible, da permite ar síntesis 'nar nt'ot'e ho 'bui ndunthe variedad materiales nanoestructurados inusual. (Bang 2010)

Ot'a yá Referencias

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  • Adam K. Budniak, Niall A. Killilea, Szymon J. Zelewski, Mykhailo Sytnyk, Yaron Kauffmann, Yaron Amouyal, Robert Kudrawiec, Wolfgang Heiss, Efrat Lifshitz (2020): Exfoliated CrPS4 with Promising Photoconductivity. Small Vol.16, Issue1. January 9, 2020.
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