Hielscher Ultrasonics
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Dispersión ultrasónica agentes pulidores (CMP)

  • Tamaño partícula hingi uniforme ne NTHEGE hingi homogénea tamaño partícula causan daños graves ma superficie pulida Nxoge 'nar proceso CMP.
  • Ar dispersión ultrasónica ge 'nar técnica mäs xi ngu pa dispersar ne desaglomerar partículas ar pulido tamaño nanométrico.
  • Ar dispersión uniforme lograda ir nge ar sonicación xta komongu ar nt'uni 'nar procesamiento CMP mäs xi ngu ya ya superficies, evitando arañazos ne defectos debidos granos Nar dätä hño ar tamaño.

Dispersión ultrasónica partículas ar pulido

Lodos ar pulido yá planarización químico-mecánica (CMP) contienen (nano) partículas abrasivas da proporcionar ya propiedades ar pulido deseadas. Ya nanopartículas comúnmente utilizadas ko abrasividad incluyen dióxido silicio (sílice, SiO2), óxido cerio (ceria, CeO2), óxido aluminio (alúmina, da ar)2O3), α — ne ne — nt'eme203, nanodiamantes, ja ma 'ra. Pa nu'bu daños ja ar superficie pulida, ya partículas abrasivas tsa 'ñehe 'nar nt'ot'e uniforme ne 'nar NTHEGE tamaño grano estrecha. Ar tamaño made partícula oscila ja ya 10 ne ya 100 nanómetros, dependiendo de formulación CMP ne ár njapu'befi.
Ar hño sabido ne ar dispersión ultrasónica produce dispersiones uniformes ne estables jar ya'bu̲ ar plazo. Ultrasónico cavitación ne ya ndu cizallamiento acoplan energía mahyoni ja ar suspensión pa ndi ya aglomerados ar rompan, ya ndu nzafi ar Waals bí superen ne ya nanopartículas abrasivas ar distribuyan uniformemente. Ko ár sonicación ar tsa̲ ga reducir ar tamaño partícula exactamente ma tamaño grano deseado. Ir nge 'nar procesamiento ultrasónico uniforme ar ar suspensión, ar xi da hñäki ya granos Nar dätä hño tamaño ne NTHEGE desigual ar tamaño – asegurando 'nar tasa eliminación CMP deseada ar pa nä'ä bí minimiza ar aparición arañazos.

Ventajas ya dispersiones ultrasónicas CMP

  • Tamaño ar partícula objetivo
  • Mextha uniformidad
  • Concentración sólidos baja alta
  • Mextha confiabilidad
  • Control preciso
  • Reproducibilidad exacta
  • Escalado lineal ne hinda interrupciones
Dispersión ultrasónica ar partículas ar pulido lodos ne suspensiones CMP.

Ya homogeneizadores ultrasónicos ar utilizan pa dispersar ne fresar agentes ar pulido

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Dispersión ultrasónica sílice pirógena: ar homogeneizador ultrasónico UP400S ar Hielscher dispersa polvo sílice ya nt'ot'e ngut'a ne xi hño jar nanopartículas Nthuts'i.

Dispersión sílice pirógena jar dehe ko ar UP400S

Miniatura ar vídeo

Óxido cerio (IV), 'nehe conocido komongu ar óxido cérico, dióxido cérico, ceria, óxido cerio wa dióxido cerio, pe ju̲ní bí ne dispersar ar ar bí nt'ot'e xi hño ne ya uniforme ko ya ultrasonidos. Ar dispersor ultrasónico microniza ne nanodimensiona ya partículas óxido cerio, ngu, pa ár njapu'befi komongu ya nt'ot'e ar pulido.

Ar dispersión ultrasónica ge 'nar tecnología fiable ne xi na hño pa ar producción nanopartículas óxido cerio.

Formulación ultrasónica de CMP

Ar mezcla ne ar batido ultrasónicos ar utilizan ko xingu ya industrias pa producir suspensiones estables ko viscosidades bajas jar xi altas. Pa producir lodos CMP uniformes ne ya estables, ya materiales abrasivos (nt'udi, sílice, nanopartículas ceria, α ne ne — nt'eme203 etcétera), ya aditivos ne productos químicos (nt'udi, materiales alcalinos, inhibidores ar óxido, estabilizadores) bí dispersan ar líquido jar base (nt'udi, ar dehe purificada).
Ja ar ngäts'i ar hño, da lodos ar pulido mar hñets'i rendimiento ar esencial ne ar suspensión muestre nzäm'bu ya'bu̲ plazo ne 'nar NTHEGE ar partículas xi uniforme.
Ar dispersión ne ar formulación ultrasónica proporciona ar energía mahyoni pa desaglomerar ne distribuir ya agentes ar pulido abrasivos. Controlabilidad precisa ya parámetros procesamiento ultrasónico proporciona ya mpädi mäs xi resultados mextha dätä nt'ot'e ne ya fiabilidad.

Ar dispersión ar ultrasónica ar xi na hño pa ar dispersión agentes pulido abrasivos jar lodos CMP.

Dispersor ultrasónico UP400St pa ar producción lodos CMP ja ar laboratorio.

Sistemas dispersión ultrasónica

Hielscher Ultrasonics suministra sistemas ultrasónicos mextha nts'edi pa ar dispersión materiales tamaño nanométrico nu'u̲ sílice, ceria, alúmina ne ar nanodiamantes. Ya procesadores ultrasónicos fiables suministran ar energía mahyoni, ya sofisticados reactores ultrasónicos crean nkohi proceso óptimas ne ar operador pe̲ts'i 'nar control preciso ga̲tho ya parámetros, ja modo da ya resultados ar proceso ultrasónico xi ajustar ar exactamente ja ya 'befi deseados proceso (komongu ar tamaño grano, NTHEGE partículas, etcétera).
'Na ya parámetros mäs mahyoni ar proceso ar amplitud ar ultrasónica. Ar Hielscher Sistemas ultrasónicos industriales Tsa̲ da suministrar ya nt'ot'e fiable amplitudes xi altas. Las amplitudes de hasta 200 μm se pueden ejecutar fácilmente de forma continua en funcionamiento 24/7. Ar mfeni ya ejecutar amplitudes ngut'ä altas garantiza ke ar tsa da alcanzar 'nehe ya 'befi ar proceso xí exigentes. Nga̲tho HMUNTS'UJE procesadores ultrasónicos ar xi ajustar exactamente ja ya nkohi proceso requeridas ne bí xi controlar hingi hembi da a través de ar software incorporado. 'Me̲hna garantiza máxima fiabilidad, 'nar hño nzäm'bu̲ ne resultados reproducibles. Robustez ya equipos ultrasónicos Hielscher permite 'nar funcionamiento 24 yá 7 jar entornos pesados ne exigentes.

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Homogeneizador ultrasónico industrial pa jar dispersión ne molienda eficientes agentes pulidores.

Ar MultiSonoReactor MSR — 4 ge 'nar homogeneizador industrial jar 'ñu mfädi pa producción industrial lodos perforación. Ar sonicación ar gi japu̲'be̲fi pa ar dispersión ne ar molienda agentes pulidores.



Bibliografía yá Referencias

Datos da Bale ar penä ga pädi

Planarización Química Mecánica (CMP)

Lodos ar pulido yá planarización químico-mecánicos (CMP) bí utilizan da alisar ya superficies. Ar suspensión CMP tsu̲di hñu ya componentes químicos ne mecánico-abrasivos. Ir CMP ar tsa̲ da bädi ar komongu 'nar nt'ot'e combinado grabado químico ne pulido ar abrasivo.
Ya suspensiones CMP ar utilizan ampliamente pa pulir ne suavizar ya superficies óxido ar silicio, ar polisilicio ne ar metal. Nxoge ar proceso CMP, ar topografía bí elimina ar superficie oblea (nt'udi, semiconductores, obleas solares, componentes dispositivos electrónicos).

tensioactivos

Pa da 'nar formulación CMP hingi mpa̲ti da ya'bu̲ ar plazo, ar añaden tensioactivos pa da zeti ya nanopartículas jar suspensión homogénea. Ya agentes dispersantes comúnmente utilizados xi da catiónicos, aniónicos wa hi'nä iónicos ne incluyen dodecil sulfato sodio (SDS), cloruro cetilo piridinio (CPC), sal sódica ar ácido cáprico, sal sódica ácido láurico, sulfato decilo sodio, sulfato ar hexadecil sodio, bromuro hexadeciltrimetilamonio (C16TAB), bromuro dodeciltrimetilamonio (C12TAB), Triton X — 100, Tween 20, Tween 40, Tween 60, Tween 80, Symperonic A4, A7, A11 ne ar A20.

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